電容分類

1.1 1類瓷介電容器

也叫1類高頻瓷介電容器，命名為“CC”型瓷介電容器，特點如下：

a、介電常數(shù)較小，一般在7~250之間，常用的在20~90之間；

b、高頻下，電容器的損耗角正切值較低；

c、溫度特性穩(wěn)定，電容量隨溫度變化率小，且呈線性關系；

d、偏壓特性好，電容量不隨電壓變化

1.2 2類瓷介電容器

也叫2類低頻瓷介電容器，命名 “CT”型瓷介電容器，特點如下：

a、介電常數(shù)較大，一般在2000~10000；

b、高頻下，電容器的損耗角正切值較大；

c、電容量隨溫度變化率較大，且呈非線性關系；

d、電容量對偏置電壓靈敏，電容量隨外加電壓增加顯著減小。

2   主要參數(shù)

2.01額定電壓

額定電壓指在上下限類別溫度之間的任一溫度下，可以連續(xù)施加在電容器上的較大直流電壓或脈沖電壓的峰值；

2.02工作電壓

工作電壓指可持續(xù)施加在電容器兩端的直流電壓與交流電壓峰值之和，在選用電容器時應確保施加在電容器上的工作電壓不大于電容器的額定電壓；

2.03絕緣電阻/漏電流

絕緣電阻由體電阻和表面電阻兩部分組成，可以用兩者并聯(lián)來表示；

多層瓷介電容器體電阻的影響因素主要有電容器內部的晶界結構、雜質、空洞等，這些因素主要與產品的制作過程有關；

多層瓷介電容器表面電阻的影響因素主要包括表面臟污和環(huán)境濕度。在實際測試中，用手接觸電容器本體或其他環(huán)節(jié)污染了電容器本體都容易造成電容器的絕緣電阻降低；由于環(huán)境濕度大，可能引起陶瓷體內的氣孔吸收潮氣，從而使絕緣電阻降低；

2.03損耗角正切

2.05Q值、容抗、ESR、S21

3   應用關鍵詞

3.01、EMC（電磁兼容性）

電磁兼容（Electro Magnetic Compatibility）是指設備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中正常工作，并不對其環(huán)境中的任何設備產生無法忍受的電磁干擾的能力。

在正常運行過程中對所在環(huán)境產生的電磁干擾不能超過一定的限值；另一方面是指設備對所在環(huán)境中存在的電磁騷擾具有一定程度的抗擾度。

3.02、EMI（電磁干擾）

電磁干擾（Electro Magnetic Interference）是指電子設備（干擾源）通過電磁波對其他電子設備產生干擾的現(xiàn)象。

電磁干擾有傳導干擾和輻射干擾兩種。傳導干擾是指通過導電介質把一個電網絡上的信號耦合（干擾）到另一個電網絡。輻射干擾是指干擾源通過空間把其信號耦合（干擾）到另一個電網絡。

3.03、EMS（電磁靈敏度）

電磁靈敏度（Electro Magnetic Susceptibility）是指由于電子設備受到外界的電磁能量，造成自身下降的容易程度。

3.04、插入損耗

插入損耗（Insertion Loss）IL是指在傳輸系統(tǒng)的某處由于元件或器件的插入而發(fā)生的負載功率的損耗。

計算公式

IL=20Log(E1/E2)

單位：分貝（dB）

E1—電路中接入該元件時信號源的輸出電壓

E2—電路中未接入該元件時信號源的輸出電壓

插入損耗

3.05、影響插入損耗的因素

插入損耗隨之頻率變化，它是由電器設備、源阻抗、負載阻抗和元件數(shù)決定

濾波器所用電容一般為陶瓷電容。由于陶瓷介質材料的特性，電容器容量隨環(huán)境溫度的變化而變化，會直接影響插入損耗的相對變化

3.06、電路原理圖

3.07、截止頻率/3dB點

從抵制的角度來講，插入損耗是較重要的指標，它直接影響到濾波器的使用效果。濾波電容器開始變得較好的頻率通常認為是衰減曲線的3dB點。線上低于該頻率的任何一點將不受到濾波。濾波電容器的電容量越大，截止頻率越低，反之亦然。

3.08、EMI濾波器的需求

隨著電子設備使用的日益增多，從其他設備引入的干擾的可能性也隨之增加。工作電壓低的電路更容易受到干擾，這就意味著設備對付EMI的需求日益增長，EMI濾波器成為了在設備中不可不缺的元器件。

4   未來發(fā)展趨勢

本公司生產的穿芯濾波電容器、板式陣列濾波電容器和微距矩形陣列濾波電容器滿足了基本的EMI濾波器電路的需求。